买卖IC网 >> 产品目录 >> FGAF40N60SMD IGBT 晶体管 600 V 80 A 79 W datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

FGAF40N60SMD

库存数量：可订货
制造商：Fairchild Semiconductor
描述：IGBT 晶体管 600 V 80 A 79 W
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 晶体管
描述 IGBT 晶体管 600 V 80 A 79 W
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制造商 Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V
集电极—射极饱和电压 2.1 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
功率耗散 79 W
最大工作温度 + 175 C
封装 / 箱体 TO-3PF
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 FGAF40N60SMD
FGAF40N60UF
FGAF40N60UFD
FGAF40N60UFDTU
FGAF40N60UFTU
FGB20N60SF
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  • FGAF40N60SMD 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 5.41 5.41
    25 4.334 108.35
    100 3.354 335.4
    250 3.216 804
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